ナイトライド・ニュース
第16回半導体・オブ・ザ・イヤー2009（主催 半導体産業新聞）のグランプリは、三菱電機（株）が開発した「SiCを用いた11kWインバーター」に決定した。これは現在主流のSiパワーデバイス（IGBT）を用いたインバーターに比べ、電力損失を約70%低減できることを実証したものであり、新たな省エネルギー時代を切り開く画期的な開発として最高の評価を集めた。
世界的な経済危機の影響で、半導体市場もシュリンクしているが、ここに来て環境／新エネルギーをキーワードに新たな市場が創出されようとしている。それらは省エネ型のパワー半導体、超低消費電力のシステムLSI、新照明革命を担う白色LEDなどであり、太陽電池やリチウムイオン電池周辺の半導体の伸びも期待を集めている。
今回の半導体・オブ・ザ・イヤーは、５７２点の応募・ノミネートがあり、この中からグランプリ、準グランプリ、優秀賞３点の計５点を選出した。選出にあたっては、開発の斬新性や量産体制構築、社会に与えたインパクト、また将来性などを基準にしている。
グランプリ受賞の栄誉に輝いた三菱電機の技術は、SiCデバイスの早期実用化を目指すことにつながり、70%という低減率は、世界最高値を記録している。SiC－MOSFETの低抵抗化とスイッチング性能の向上、ゲート駆動回路の実現など、様々な技術的工夫を凝らしている。SiCインバーターを適用した空調機器、太陽光発電システム用パワーコンディショナー、エレベーター、エスカレーターなど、各種機器の画期的な省エネルギー化につながることが評価された。
選考委員長の安浦寛人氏（九州大学副学長）は、「今回の受賞製品/技術は、時代を反映し、グリーンニューディール革命推進に貢献するものが多く選ばれた」としている。
なお、準グランプリは富士通グループの超高速セキュリティプロセッサが受賞した。また優秀賞は、日本テキサス・インスツルメンツ（株）、ナイトライド・セミコンダクター（株）、アナログ・デバイセズ（株）の各社がそれぞれ受賞した。
第16回 半導体・オブ・ザ・イヤー2009
| グランプリ | 三菱電機（株） | 11kWインバーター動作時の電力損失70％低減を達成したSiCパワーデバイス技術 |
| 準グランプリ | 富士通LSIソリューション（株）/富士通マイクロエレクトロニクス（株） | 超高速セキュリティプロセッサ MB86C61/60A |
| 優秀賞 | 日本テキサス・インスツルメンツ（株） | MSP430F5XXおよび 「eZ430-RF2500-SEH」開発キット |
| 優秀賞 | ナイトライド・セミコンダクター（株） | UV-LED 「NS375L-ERLM」 |
| 優秀賞 | アナログ・デバイセズ（株） | 16ビット10MSPS PulSAR(r)A/Dコンバータ 「AD7626」 |
